Перевод: с английского на русский

с русского на английский

high-threshold MOS

См. также в других словарях:

  • high-threshold MOS — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • high-threshold MOS structure — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit hohem Schwellwert — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à haute tension de seuil — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Threshold voltage — The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The creation of this layer is described next …   Wikipedia

  • MOS-FET — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • MOS-Fet — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …   Deutsch Wikipedia

  • aukšto įtampos slenksčio MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc. structure MOS à haute tension de seuil …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МОП-структура с высоким пороговым напряжением — aukšto įtampos slenksčio MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high threshold MOS; high threshold MOS structure vok. MOS Struktur mit hohem Schwellwert, f rus. МОП структура с высоким пороговым напряжением, f pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Logic family — In computer engineering, a logic family may refer to one of two related concepts. A logic family of monolithic digital integrated circuit devices is a group of electronic logic gates constructed using one of several different designs, usually… …   Wikipedia

  • MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»